Rohm和英飞凌将合作开发SiC封装

罗姆与英飞凌正式签署战略合作协议，双方将携手开发面向新能源时代的SiC功率半导体封装解决方案。这项合作犹如为电力电子领域架起一座技术桥梁，将覆盖车载充电器、光伏发电、储能系统乃至人工智能数据中心等前沿应用场景。

根据协议，两家行业巨头将互为对方SiC功率器件的第二封装来源，这就像为客户打开了一扇双通道的大门，显著提升其设计自由度和供应链弹性。未来，终端用户将能自由选择来自罗姆或英飞凌的兼容封装产品。

技术融合方面，罗姆将引进英飞凌创新的顶部冷却封装平台，包括TOLT、D-DPAK等系列产品。这些封装如同精密的散热铠甲，所有型号均采用标准化的2.3毫米高度设计。与此同时，英飞凌将采用罗姆突破性的DOT-247封装技术，该技术如同功率模块的"变形金刚"，通过创新的半桥结构设计，较传统TO-247封装实现热阻降低15%、电感减少50%的卓越性能，功率密度更是提升至2.3倍。

"与罗姆的合作就像为SiC技术发展装上了加速器，"英飞凌绿色工业电源部门总裁Peter Wawer表示，"这种协同创新将为客户提供更丰富的选择，助力开发更高能效的应用，推动全球减碳进程。"

罗姆功率器件业务负责人Kazuhide Ino则强调："我们始终以客户需求为北极星。与英飞凌的强强联合，就像为解决方案宝库增添了一把金钥匙，将开启更广阔的技术可能性。"据悉，双方还计划将合作范围扩展至硅基及GaN等宽禁带半导体封装领域，持续为绿色能源革命注入创新动力。
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