SDRAM

SDRAM(同步动态随机存储器)

本次运用的SDRAM内存大小为256Mbit，有4个bank，每个bank有4M（8192行*515列）存储单元，每个单元可存16bit数据

引脚

信号	类型	描述
clk	in	时钟，所有其他输入在CLK的上升沿被寄存到SDRAM
cke	in	时钟使能，控制内部时钟信号，当禁用时，SDRAM将处于电源关闭、暂停或自刷新状态之一
cs_n	in	片选，启用或禁用除CLK、CKE和DQM之外的所有输入
BA0,BA1	in	bank地址线
A0-A12	in	行列地址线，行地址：RA0 ~ RA12，列地址：CA0 ~ CA8自动预充电标志：A10
RAS_n,CAS_n,WE_N	in	行地址选通，列地址选通，写使能
LDQM,UDQM	I/O	数据掩码，16位高低字节，可控制读写数据
DQ0-DQ15	I/O	数据输入输出

操作流程

1、预充电（precharge）

预充电命令：关闭特定bank中激活的行，或关闭所有bank中激活的行。

A10决定预充电模式：

当预充电命令中的地址A10为高时，预充电所有bank；当预充电命令中A10为低时，预充电特定bank。

当write/read命令中的A10为高时，自动预充电（auto-precharge）被使能；反之。

预充电命令发送之后，这些bank等待tRP才能接收命令

2、自动预充电（auto-precharge）

自动预充电是非显示命令，即使能自动预充电是需要发送write/read命令时将地址中A10拉高，在读写

突发结束后，立即预充电那个bank/row。

3、NOP

NOP 指令用以表明对 sdram 芯片（CS# == 0）进行空操作。NOP 指令的目的是在 sdram 在空闲

或者等待状态下，避免去执行一些潜在的不需要的指令。已经在执行过程中的指令不受影响。

4、自动刷新（auto-refresh）与自刷新（self-refresh）

为使数据不丢失，电容的两次刷新时间不能超过64ms，刷新都是针对行的。共性：都不需要外部提供地址信息，SDRAM内部有一个行地址生成器（刷新计数器）。刷新都是针对

一行的，不需要对列地址寻址，但也不需要对行进行寻址，因为内部有刷新计数器

自动刷新：SDRAM正常工作模式中为了数据不丢失进行的操作，需要外部时钟参与，刷新的行地址也

是由内部刷新计算器控制

自刷新：休眠模式低功耗状态下存储数据，不需要外部时钟参与，刷新的行地址内部刷新计算器控

制。

发送自动刷新命令需要的时间为tRRC(自动刷新周期)，由于是对行操作，等效于行选通时间（RAS）

SDRAM中每次刷新操作所需要的时间为自动刷新周期（tRC），在自动刷新指令发出后需要等待tRC才能发

送其他指令。

5、行激活

行激活命令也叫做bank激活命令，作用是在指定bank中激活一行；

行激活后会一直处于激活状态（即列寻址处于激活状态），直到预充电命令被发送到这个bank；

行激活命令之后，需要延时tRCD（即发出行地址到发出列地址的时间间隔），才能发送READ/WRITE命令（读写操作必须先激活对应bank）

6、读操作

读数据命令用来开启数据的突发读，bank，row都可选，注意A10的值决定是否执行自动预充电操作，若执行自动预充电，突发读结束后就进行预充电，此行关闭，若不执行自动预充电，该行保持激活，仍能被访问。

CAS latency ：读延迟（读潜伏周期,CL）Burst length：突发长度（BL）

读命令发出后，输出buffer（理解为SDRAM的dq_out）会在（CL-1）个时钟后期后变为低阻，然后会在突发读结束后重新变为高阻态，

7、写操作

DM（数据掩码）高有效，当为低时，数据能正确被写入DM;当为高时，数据将被忽略。

写突发时，第一个数据与写命令同步；

突发写–>预充电中间需要间隔tDPL