【氮化镓】非辐射复合载流子诱导的瞬态缺陷机制

2016 年 4 月 14 日，Rensselaer Polytechnic Institute 等机构的 Junhyeok Bang 等人在《Scientific RepoRts》期刊发表了题为《Carrier-induced transient defect mechanism for non-radiative recombination in InGaN light-emitting devices》的文章，基于第一性原理计算方法，研究了 InGaN 基发光器件中非辐射复合的新机制，实验和仿真结果表明，在电子激发态下，弗兰克尔对（FP）缺陷的形成能显著降低，使得非辐射复合过程易于发生，且该过程具有瞬态特性，与传统的 SRH 和 AR 模型不同，该研究的结果对深入理解宽禁带半导体中非辐射复合的物理机制以及提高 InGaN 基发光器件效率具有重要意义。

Bang, J. et al. Carrier-induced transient defect mechanism for non-radiative
recombination in InGaN light-emitting devices. Sci. Rep. 6, 24404.