【氮化镓】100 V GaN晶体管在关态应力下的双退化

2025年3月7日，意大利帕多瓦大学的Riccardo Fraccaroli等人在《Microelectronics Reliability》期刊发表了题为《Evidence for double degradation regime in off-state stressed 100 V GaN transistors: From dielectric failure to subthreshold current increase》的文章，基于Weibull分析和电致发光测量等方法，研究了100 V GaN晶体管在关态应力下的双退化现象，实验结果表明在强夹断条件下，器件因介质击穿而快速失效，而在弱夹断条件下，器件因热电子陷阱导致的电场降低而寿命延长，且存在与正电荷陷阱相关的第二退化模式，该研究结果对GaN晶体管的可靠性分析和设计优化具有重要意义。

1. 引言与研究背景

1.1 GaN功率器件的发展与应用

GaN（氮化镓）功率器件在高效率功率转换领域正变得越来越具有竞争力，这主要得益于其在高速和高功率密度方面的优异性能。GaN材料的独特性质使其在AlGaN/GaN