【氮化镓】偏置对GaN HEMT 单粒子效应的影响
2025年5月19日，西安电子科技大学的Ling Lv等人在《IEEE Transactions on Electron Devices》期刊发表了题为《Single-Event Effects of AlGaN/GaN HEMTs Under Different Biases》的文章，基于实验和TCAD仿真模拟方法，研究了单粒子效应对关断状态、半开启状态和开启状态下AlGaN/GaN HEMT器件的影响，实验和仿真结果表明，在不同漏源电压下，单粒子效应会导致器件出现非破坏性、漏电流退化和灾难性故障三个区域，其中关断状态下器件的峰值电场最大，且在高偏压下电流收集更为显著，进一步证实了关断状态下单粒子效应的严重性，研究表明高单粒子瞬态电流可在关断状态下导致器件永久损坏，使器件漏电流增加，该研究的结果对理解AlGaN/GaN HEMTs在单粒子效应下的性能退化机制以及提升其在辐射环境中的可靠性具有重要意义，为器件的可靠性评估和设计优化提供了关键数据支持。
本文的主要创新点和结论如下：
主要创新点：
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系统性研究：本研究首次