41.防静电的系列措施

1. ESD放电特征

（1）放电电流tr≈1nS，ESD保护器件响应时间应小于1nS；
（2）频率集中在几十MHz到500MHz；
（3）ESD接触到IC引脚，Ip达几十安培，会烧伤IC融化硅片管芯、内部金属连接烧断、钝化层被破坏，晶体管单元烧坏；
（4）ESD会引起IC闩锁（LatchUp），CMOS内部类可控硅结构单元被激活，形成从VCC-GND的大电流，而且一直保持，轻症短路失效，重症烧毁。

2. 静电防护电路设计措施

（1）通常情况下，TVS离被保护IC引脚远一点更好，利用走线电感降低残压。

（2）串接电阻限制尖峰电流Ip.

(3)低频信号通过RC电路保护，R限流，C限压。

（4）射频电路防护

（5）复合防护


（6）增加吸收回路，通过尖端对地放电

3. ESD防护结构措施

（1）增大间距，减小感应耦合强度；
（2）加入引流通路措施，将ESD引导不流经敏感部位；
（3）增大金属平面，吸收ESD电荷。可以将GND接到一块浮空的金属上，增大自身电容性，或者用金属隔离ESD干扰。

4. 案例分析

如果IC输入阻抗很高，那么静电干扰流入IC的电流很小。即使TVS管远离IC，TVS管和IC引脚间的走线电感所分担的压降仍然很小。要格外小心地阻抗不足够小的情况，靠近IC的地方可能也需要加一个TVS管。