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通过面积、DNL/INL、THD等性能指标的折衷，采用混合编码方式，进行了最优的分段。电流舵DAC性能受器件噪声、器件失配、电流源有限输出阻抗、电源电压波动等非理想因素影响的，需要仔细分析。

电流源一般采用 PMOS Cascade 结构。电流源采用 PMOS 管的好处是空穴迁移率比电子迁移率低，其与同一尺寸的 NMOS 管相比，1/f 噪声低很多。又知 PMOS 管做在 N 阱里面，能有效隔离电路其他模块的串扰影响。

电流镜失配公式为：

所以要减小电流镜失配，要加大尺寸，增大VGS-VTH。管子面积的增大，又会导致寄生电容的增大，使得电路速度降低，同时整个芯片的面积也会增大，面积增大会导致晶体管之间的距离增加，长距离效应增加电流镜的失配，这就需要在确定电流源管子尺寸时在失配、速度和面积之间综合考虑。

在 DAC 设计前性能指标已经规划好，INL 的大小也已给出，则电流源相对误差和 INL之间的关系为

C=inv_norm(0.5+yield/2), inv_norm 是正态分布反积分函数，N 为 DAC 的位数，yield 一般被称为成品率，它表示量产的芯片中 INL 小于 0.5LSB 的成品比例。下图描述了成品率与电流源匹配误差之间的关系。