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高级驾驶辅助系统和先进的互连航空电子技术等应用要求元件能够承受恶劣的环境条件，并具有较高的耐用性。闪存虽然在某些条件下性能可靠，但在耐用性方面存在局限性，因此无法满足这些严格的要求。

在实时传感器数据处理或高可靠性通信等对时间要求极高的环境中，对快速配置的需求至关重要。传统的闪存会导致启动时间延迟。

磁性随机存取存储器（MRAM）是一种新兴的非易失性存储器技术，它利用材料的磁性来存储数据。与依靠电荷存储的传统闪存不同，磁随机存取存储器利用磁隧道结将二进制数据表示为磁性状态的方向。这种方法具有多种优势，包括更低的功耗、更高的耐用性以及更快的读写速度。此外，MRAM的非易失性确保了即使在没有电源的情况下也能保留数据，使其成为闪存的可靠而高效的替代品。MRAM的可扩展性以及与CMOS工艺无缝集成的能力，进一步使其成为追求高能效存储解决方案的有力竞争者。

闪存等传统存储技术表现固然出色，但新的应用推动了对更可靠的配置存储的需求，它们需要在恶劣的环境条件下具有更好的稳定性和更高的性能。例如，在需要高耐用性或高性能的网络边缘应用中，MRAM 可以通过OTA处理大量的高速读/写周期，以支持持续的数据更新，而无需经历擦除周期，也无需使用闪存文件系统或专用控制器。

在汽车应用中，RAMSUN提供的MRAM存储芯片可在较大的温度范围和恶劣条件下高效运行。在关键任务运输和航空电子应用中，MRAM对于存储系统的设置和操作数据记录至关重要。在对数据可靠性要求极高的太空应用中，MRAM具有抗强辐射的能力，可简化在轨重新编程，限制辐射引起的错误。