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商城建站百度快照推广一年要多少钱

wzjs 2025/7/29 16:20:16

商城建站,百度快照推广一年要多少钱,WordPress建b2c商城,wordpress能做成app吗作者的话 ADI的双核DSP，最早的一颗是Blackfin系列的BF561，这颗DSP我用了很久，比较熟悉，且写过一些给新手的教程。硬件准备 ADZS-BF561-EZKIT开发板：ADI原厂评估板 AD-ICE20000仿真器：ADI现阶段性能最好…

作者的话

ADI的双核DSP，最早的一颗是Blackfin系列的BF561，这颗DSP我用了很久，比较熟悉，且写过一些给新手的教程。

硬件准备

ADZS-BF561-EZKIT开发板：ADI原厂评估板

AD-ICE20000仿真器：ADI现阶段性能最好的DSP仿真器

产品链接：https://item.taobao.com/item.htm?id=753233120844

软件准备

Visual DSP++5.1.2
CCES2.11.1

硬件环境的搭建

在这里插入图片描述
程序实现的功能

通过 ADSP-BF561 处理器 EBIU（外部总线接口单元）实现对 NAND FLASH 的读写。

在这里插入图片描述

硬件的实现：

如图所示，在硬件设计中，利用 EBIU 接口与 K9F2G08 进行连接，用地址线接口控制NANDFLASH 的 ALE、CLE。CPLD 通过地址译码为 NANDFLASH 提供片选地址，PF11 连接FLASH 的 RDY，用于判断 FLASH 的状态。 K9F2G08 为 8 位总线接口方式，在硬件设计中，利用 0 欧姆跳线电阻保留了与总线的连接，以适应与 BF561 时序匹配的 flash 的应用。

在这里插入图片描述

FLASH 寄存器：

FLASH 寄存器的访问，是通过/ALE 和/CLE 的配置，配合读写信号线完成的。在访问寄存器时，先将地址线置高，

在这里插入图片描述

NAND FLASH 的结构：

NANDFLASH 存储结构是按块，页，字节分的。每块 64 页，每页 2K+64 字节。

NAND FLASH 的寻址：

NANDFLASH 的地址线 A0-A11 为 2K+64Byte 的页内寻址地址线，A12-A28 为块地址寻址地址线。

在这里插入图片描述

NAND FLASH 的存储与其他存储设备不同，它在写操作前必须要对块进行擦除。这是因为NAND FLASH 的存储结构只能将 1 写成 0，如果不对该块擦除就进行写操作，保存的数据会是写入的数据加上原有的数据，造成数据错误。所以在对每个块操作前，必须将该块所有的存储单元置 1，擦除命令就是以块为单位，将所指定的块单元数据置 1。

块地址与页地址的转换：

每一个块包含 64 个页，即 2 的 6 次方。在页地址和块地址相互转换时，只需将块地址左移6 位即可。例如我们现在对页地址 Page_Address 所在的块区域 Block_Address 进行擦除操作，页地址 Page_Address 的地址为：

第一次送入地址 0x00； //非字节操作
第二次送入地址 0x00；
第三次送入地址 Page_Address&0xff；
第四次送入地址(Page_Address>>8)&0xff；
第五送入地址(Page_Address>>16)&0xff；

块擦除地址是 A12-A28，所以三个周期就能送完。
因为 Block_Address=Page_Address/64；即 Block_Address=Page_Address << 6；替换页地址寻址后为

第一次送入地址(Block_Address<<6)&0xff；
第二次送入地址(Block_Address>>2)&0xff；
第三次送入地址(Block_Address>>10)&0xff；

CPLD 配置：

NAND FLASH 模块映射在异步 BANK3 中，其地址为：

在这里插入图片描述

核心代码分析

void Read_Chip_ID(void) //读取器件 ID 函数
{
unsigned char Chip_ID0 ;
unsigned char Chip_ID1 ;
Write_Command(0x90);
Write_Addr(0x00);
Chip_ID0 = *pFlash_Data;
Chip_ID1 = *pFlash_Data; //读取器件 ID
printf(“The Nandflash ID is %X%X\n\r”,Chip_ID0,Chip_ID1); //打印 ID
if(Chip_ID0 == 0xec)
{
switch(Chip_ID1) //根据读取的 ID 判断芯片容量
{
case 0xd3 : printf(“The Nandflash is 1024M\n\r”);
bytecount = 4096;
break;
case 0xda : printf(“The Nandflash is 256M\n\r”);
bytecount = 2048;
break;
default: printf(“Read ID is ERROR!!!\n\r”);
bytecount = 2048;
break;
}
}
Else //如果读取 ID 错误
{
printf(“Read ID is ERROR!!!\n\r”); //打印出错
bytecount = 2048;
return false;
}
}

bool write_page(unsigned int Page_Address,unsigned char *Buffer) //页写入函数
{
int i;
Write_Command(0x80); //写命令 0x80
Write_Addr(0x00); //写页内字节地址
Write_Addr(0x00); //写页内字节地址
Write_Addr(Page_Address&0xff); //写页地址
Write_Addr((Page_Address>>8)&0xff); //写页地址
Write_Addr((Page_Address>>16)&0x07); //写页地址
for(i = 0;i<bytecount;i++)

{
*pFlash_Data = *((unsigned char *)Buffer+i); //写入数据
udelay(1);
}
Write_Command(0x10);
Wait_NAND_RADY();
return true;
}

bool read_page(unsigned int Page_Address,unsigned char *Buffer1) //读页内数据函数
{
int i;
Write_Command(0x00); //写命令 0
Write_Addr(0x00); //写页内字节地址

Write_Addr(0x00); //写页内字节地址
Write_Addr(Page_Address&0xff); //写页地址
Write_Addr((Page_Address>>8)&0xff); //写页地址
Write_Addr((Page_Address>>16)&0x07); //写页地址
Write_Command(0x30);
udelay(200);
for(i = 0;i<bytecount;i++)
{
*((unsigned char *)Buffer1+i) = *pFlash_Data; //读出页内数据
}
}

运行程序后，得到下面的结果：

在这里插入图片描述