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解答：
1. NMOS 与 PMOS 的区别（结构、电容）？CMOS 的关系？
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区别：NMOS 使用电子作为载流子，PMOS 使用空穴。NMOS 导通速度更快，导通电阻更小。结构上，NMOS 通常在 P 型衬底，PMOS 在 N 型衬底。
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CMOS：互补金属氧化物半导体，由 NMOS 和 PMOS 构成，用于降低静态功耗。
2. MOSFET 的 RDS(on)R_{DS(on)} 与温度关系？如何通过非工艺手段降低它？
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温度升高时，RDS(on)R_{DS(on)} 增大。
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可通过：
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并联 MOSFET
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增大驱动电压使其完全导通
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使用散热片或强制风冷降低结温
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3. 体二极管作用？优劣？
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作用：反向保护、续流。
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优点：简化电路。
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缺点：反向恢复时间长、正向压降高。
4. MOSFET 的损耗有哪些？如何计算与优化？
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导通损耗：I2⋅RDS(on)I^2 \cdot R_{DS(on)}
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开关损耗：与电压、电流、开关时间相关
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优化：
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选低 RDS(on)R_{DS(on)} 器件
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优化驱动电路
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降低开关频率
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注意 EMI 与热管理
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5. RDS(on)R_{DS(on)}、CissC_{iss}、CrssC_{rss} 之间关系？
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CissC_{iss}：输入电容，主要影响驱动速度
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CrssC_{rss}：反馈电容，影响 Miller 平台
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低 RDS(on)R_{DS(on)} 通常意味着更大沟道、更大电容
6. MOSFET 的缓启动电路（软启动）？NMOS 与 PMOS 各有何特点？
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常见设计：RC 延迟、慢升压驱动栅极
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NMOS 更常用，因驱动电压低、开通快
7. CgdC_{gd}、CgsC_{gs}、CdsC_{ds} 等电容含义及温度关系？
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这些电容决定开关特性
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温度升高一般使 MOSFET 电容减小，但影响不如电阻显著
8. MOSFET 选型常关注哪些指标？
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开关频率、导通电阻、最大电压/电流、Qg（栅极电荷）、封装散热能力
9. MOSFET 快速开关设计？
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使用强驱动器（大电流）
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减小栅极电阻
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减少寄生电感与电容
10. MCU IO 是否能直接驱动 MOS？
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若为小信号 MOS，低频时可直接驱动。
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否则建议加缓冲驱动器（如栅极驱动芯片）
11. MOSFET 栅极串联电阻 RgateR_{gate} 作用？
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控制上升/下降时间，抑制震荡
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增大：降低 EMI，但开关慢
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减小：加快开关，但易震荡
12. MOSFET 的米勒平台（Miller Plateau）？
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形成原因：开关过程中，栅极电荷被反馈电容吸收
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延长时间：会减慢开关
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设计上需平衡开关速度和 EMI
13. MOSFET 并联时的注意事项？
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温度越高电阻越大，存在热失控风险
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应平衡导通电阻与导热路径
14. MOSFET 构成的 H 桥、半桥等电路？
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H 桥：电机控制常用
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半桥：DC-DC、逆变器等
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注意死区时间与同步整流
15. GaN、SiC 等新材料 MOSFET 优缺点？
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GaN：高频效率高、寄生小，缺点是成本高、耐压较低
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SiC：高压高温耐受好，适合高功率场合
16. GaN 与 SiC 对比？
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GaN：适合 >100kHz 高频
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SiC：适合 >600V 高压
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替代 Si 时需考虑驱动器、电压等级等
17. MOSFET 与 IGBT 区别？
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MOSFET：高频、小电流优
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IGBT：大电流、工频领域优
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MOS 没有尾电流，开关快
18. MOSFET 连续导通电流与哪些因素相关？
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封装热阻
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散热条件
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RDS(on)R_{DS(on)}
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PCB 铜面积
19. MOSFET 的热阻如何测量与评估？
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可通过 RthJCR_{thJC}、RthJAR_{thJA}
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热电偶/红外测温法测结温
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用 Tj=Tcase+P⋅RthT_{j} = T_{case} + P \cdot R_{th}
20. PCB Layout 时如何优化 MOSFET 外围电路？
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减小环路面积
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加粗功率线
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良好接地
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降低噪声、热、共模干扰
电源树的设计方法：
1.电源需求：
根据硬件总体方案，确定各芯片所需的供电电压； 根据芯片的特点及系统性能指标需求，确定各电压的性能要求
2.电源树设计：
根据电源需求，选定电源模块或芯片，设计单板电源树； 根据电源树设计评估单板功耗，优化功耗设计
