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1. 使用多个电容是从电容的实际等效模型去考虑的(也就是从SI，信号完整性方面）。只考虑一个实际电容时，它的阻抗曲线是一个类似于倒三角形的形状，只在谐振频率点(与等效串联电感形成)处的阻抗最小。因此相当于只在这一个频率点处及附近有较好的去耦效果。
   而为了在一个较大的频率范围内都起到一个较好的去耦效果，常会使用一个大电容和一个小电容并联，这样他们并联后的阻抗曲线就会在一个频率范围内保持在一个较低的值，从而能够在整个范围内起到较好的去耦效果。

2. 小电容靠近ic则是从PI(电源完整性)的方面去考虑。因为小电容的去耦半径比较小，超出去耦半径就不具备良好的去耦效果(不然为什么去耦电容不能直接放在供电输出端，而要放在ic附近)。所以小电容越靠近ic，其去耦效果越好。
   另一方面是高频情况下会有寄生参数，离得远寄生参数会严重干扰旁路的作用
   看的资料和书太多，有点不太记得具体在哪看的了[喜极而泣]
   不过正如我评论所说，第一点主要是电容实际阻抗模型，在信号完整性分析相关的书肯定有讲解。而第二点主要是去耦半径，在电源完整性相关的资料中应该有讲解。
   不过你也可以去搜索上面两个知识点，自然也会找到相关的内容，而且也能进一步通过那个内容了解到其他参考资料，甚至于了解到其他网友给出的资料等等。
   题外话，模电入门的话，我比较推荐杨建国教授的《你好放大器》和《新概念模拟电路》系列，是国内为数不多写的比较生动的模电书籍，然后还有ADI的MT教程，这个内容领域就很杂了，也更偏向实际。
   ，电容的充放电过程会使电压和电流相位发生变化，可以用来启动电机。

3. 小电容（去耦电容）
   典型值：0.01μF~0.1μF，常用陶瓷电容。
   主要作用：
   滤除高频噪声。
   提供局部的快速充放电，抑制高频电磁干扰（EMI）。
   放置在MCU的每个电源引脚附近（越近越好）。
   关键点：
   每个电源引脚一般旁接一个小电容。
   电容的寄生电感较低，适合抑制高频噪声。
   贴片陶瓷电容（如0603或0805封装）是最佳选择。

4. 大电容（储能电容）
   典型值：1μF~100μF，常用电解电容或钽电容。
   主要作用：
   稳定电源电压，提供瞬态电流补偿。
   滤除低频纹波。
   关键点：
   放置在电源轨的入口处，例如LDO或开关电源的输出端。
   对于瞬态电流较大的MCU（如多核、带外设的MCU），可能需要更大的电容值。
   设计建议
   小电容应靠近MCU的电源引脚（距离<1cm），一般每个电源引脚都要布置。
   大电容通常放置在电路的电源分配节点附近，确保给整个系统提供稳定电压。
   如果可能，测量电源噪声并适当调整电容值。
   综合选择
   小电容用于去耦：靠近MCU，抑制高频干扰。
   大电容用于储能：靠近电源主轨，稳定电压和低频补偿。
   正确选择和布置电容能够显著提高系统的稳定性和抗干扰能力。