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第十一届省赛（大学组）

1.稳压二极管时利用PN节的反向击穿特性制作而成

2.STM32嵌套向量终端控制器NVIC具有可编程的优先等级 16 个

3.一个功能简单但是需要频繁调用的函数，比较适用内联函数

4.模拟/数字转换器的分辨率可以通过输出二进制数字信号的位数来判断

5.STM32固件库中的stm32f10x.h文件定义了各类外设的寄存器结构体和相关定义

6.数字时序逻辑电路的输出与当前输入、电路原状态有关

7.实现A/D转换的方法有计数法、双积分法、逐次逼近法

8.STM32微控制器的片内FLASH存储器（掉电不丢失数据）一次可以写入16位

9.STM32微控制器USART1的波特率通过PCLK2提供

PCLK1 适用于USART2、3、4、5

PCLK像素时钟

 第十一届省赛（研究生组）

1.场效应管的导通电阻与温度、Vgs有关

2.通过RS485 总线（一种通信协议）进行通信的两个设备，至少需要通过2跟线进行连接

3.嵌入式系统设计的主要目标：低功耗、低成本、高实时性

高性能不是其目标

4.下列中，SRAM比较适用于大量高速数据缓存应用场景

SRAM静态随机存取存储器

DRAM动态

EEPROM指带电可擦可编程只读存储器

FLASH一种非易失性存储设备，用于存储数据和程序

5.FAT、NTFS、Ext是比较典型的文件系统格式

第十届省赛（研究生组）

1.某存储器芯片的存储容量为8KB,数据线8根，地址线为13根

2.

3.

4.STM32G431RBT6 每个DMA 通道具有（ 3）事件标志。

DMA：直接内存访问

5.放大电路在负载开路时的输出电压为0.4V，接入3K 的电阻负载后，输出的电压降
为0.3V，则该放大电路的输出电阻为（ D）。
A.10K B.2K
C.3K D.1K
 
 6.

三极管

三极管正常工作需要满足三个极限参数的限制，即集电极最大允许功率损耗Pcm、集电极最大允许电流Icm和集 - 射极反向击穿电压U（br)ceo。

  集电极功率损耗Pc=Uce*Ic，需满足Pc<=Pcm；集电极电流Ic<=Icm；集 - 射极电压Uce<U(br)ceo。

7.

三级流水线分别指取指、译码、执行

8.

APB2总线最大频率是系统时种的1/4

APB1总线最大频率是系统时种的1/2