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MCU存储体系
1.SRAM
2.FLASH
3.TCM
SRAM
SRAM（Static Random-Access Memory）:静态随机存取存储器.
特点：访问速度快、断电丢失、不
SRAM分类
1.系统SRAM：连接在系统总线上，所有外设和CPU都可访问
2.TCM SRAM：紧耦合内存，专为CPU高速访问设计（如ARM的DTCM）
3.外设SRAM：某些外设专用的缓冲区（如USB、DMA等
128KB = 128 * 1024 byte = 0x20000
地址范围：0x2000_0000 ~ 0x2002_0000
SYS SRAM与TCM DRAM的区别
| SYS SRAM | TCM SRAM |
|---|---|
| 共享资源：多主设备(CPU/DMA/外设)通过总线矩阵访问 | 物理隔离：独立于总线矩阵的专用接口 |
| 缓存支持：通常配合Cache使用提升性能 | 零等待状态：与CPU寄存器同级别的访问速度 |
| 动态分配：支持标准内存管理 “malloc” | 静态分配：需显式指定变量位置 |
SYS SRAM 和AP SRAM区别
SYS SRAM
mcu访问错误的sram地址可能会导致总线访问失败
TCM SRAM
ITCM Instruction Tightly Coupled Memory :指令紧耦合存储器，用于存储需要快速执行的代码（如中断处理程序、关键算法）
DTCM Data Tightly Coupled Memory :数据紧耦合存储器，用于存储需要快速访问的数据（如实时控制变量、DSP数据）
WIFI FW SRAM
在无线芯片(如WiFi/BT Combo芯片)的架构设计中，FW SRAM(固件SRAM)和SYS SRAM(系统SRAM)是两种不同的内存区域，它们在功能和使用方式上有显著差异
内存属性
内存区域通常被划分为缓存(Cacheable, C)、非缓存(Non-Cacheable, NC)、安全(Secure, S)和非安全(Non-Secure, NS)四种属性
C /NC
在嵌入式系统和MCU开发中，SRAM的缓存(Cacheable, C)和非缓存(Non-Cacheable, NC)区域是两种重要的内存配置方式
S /NS
SRAM的安全(Secure, S)和非安全(Non-Secure, NS)区域划分
调试指令
查看内存段指令
`arm-none-eabi-size -A -x your_elf_file.elf`
分配变量到不同SRAM区域
“ram_extra0_bss”
“tcm_data”
__attribute__((section(".ram_extra0_bss")))
static uint32_t system_ram_var;// 使用宏简化
#define SYS_RAM_VAR __attribute__((section(".ram_extra0_bss")))
SYS_RAM_VAR uint8_t buffer[1024];
ld文件指定SYS SRAM 和 TCM SRAM内存地址范围
MEMORY {/* 定义内存区域 */SRAM (rwx) : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 512KTCM (rwx) : ORIGIN = 0x10000000, LENGTH = 128K
}SECTIONS {/* 系统SRAM区域 */.ram_extra0_bss (NOLOAD) : {__ram_extra0_start__ = .;*(.ram_extra0_bss*). = ALIGN(4);__ram_extra0_end__ = .;} > SRAM/* TCM区域 */.tcm_section : {*(.tcm_data*)} > TCM
}
测试
#pragma once#ifdef __GNUC__
#define SYS_RAM_ALLOC(name) \__attribute__((section(#s(.ram_extra0_bss, __LINE__))) \__attribute__((aligned(4))) name#define TCM_ALLOC(name) \__attribute__((section(".tcm_data"))) \__attribute__((aligned(32))) name
#else
#error "Compiler not supported"
#endif// 使用示例
SYS_RAM_ALLOC(static uint32_t sys_var); // 分配到系统SRAM
TCM_ALLOC(float32_t dsp_buffer[256]); // 分配到TCM