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中心的是 3D IC 本体（逻辑、存储、模拟、RF、传感等异构芯片通过 TSV、RDL、扇出 WLP、封装互连集成在一个模块中），四个象限分别代表为 3D IC 提供关键技术和服务的不同厂商类型：

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1. OSATs / Packaging Houses（封装与测试代工厂）

• 主要能力：

  • 晶圆或芯片背面减薄（Wafer Thinning）
  • PVD / 溅射（种子层、UBM）
  • 电镀（Cu、Ni/Au、锡球）
  • Die Bonder（倒装、键合）
  • 最终封装与测试（BGA、Fan-Out WLP、可靠性筛选）

• 代表企业：Amkor、STATS ChipPAC、Xintec、OKI

这些厂商可将来自 IC Fabs 和 MEMS Fabs 的晶圆/芯片，通过前处理、倒装、封装与测试流程，最终交付成品 3D 模块。

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2. IC Fabs（IDM / Foundries，晶圆代工与集成器件厂）

• 主要能力：

  • 前端工艺（CVD、栅极生长）
  • 高纵横比溅射（High-AR PVD，用于 TSV 孔壁金属化）
  • 步进曝光（Steppers，用于高精度光刻）
  • 晶圆级后道（Wafer-Level Processes，包括 WLP、TSV Etch/Fill）

• 代表企业：TSMC、Samsung、UMC、Elpida、STMicro、Chartered

它们提供完成或半完成的晶圆（包括已制 TSV 或 WLP 中间态），交付给 OSAT 或 MEMS Fabs 进行后续集成。

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3. MEMS Fabs（微机电系统代工厂）

• 主要能力：

  • DRIE（深反应离子刻，制作 MEMS 结构 & TSV 通孔）
  • Wafer Bonder（键合多晶圆/晶圆堆叠）
  • 喷涂设备（喷涂PR或封装胶）
  • 高精度对位曝光（Mask Aligner）
  • 先进光刻胶（Advanced Photoresists）

• 代表企业：Dalsa、Silex、Teledyne、探微科技

MEMS Fabs 可在硅片上集成传感器、执行器和 TSV 通道，并与逻辑 / 存储芯片形成 3D MEMS‐IC 混合封装。

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4. Substrate Layers（载板与材料供应商）

• 主要能力：

  • 激光微钻（Laser）加工高精度过孔
  • 电镀（Electroplating 铜层、镍/金）
  • 高性能聚合物材料（Polymer Materials，用于扇出封装的介电层或封装树脂）

• 代表企业：Shinko、Imbera、DNP、Biden Co.

它们提供用于 Fan-Out WLP 的载带、聚合物介电层、激光钻孔服务和金属化涂层，是 2.5D/扇出封装的关键材料与工艺支撑。

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核心 3D IC Opportunity

通过整合以上厂商/技术平台，3D IC 可以实现：

• 多异构芯片垂直互联（Logic + DRAM + RF + Sensor）
• 高密度封装（TSV + RDL + Fan-Out WLP）
• 可靠性与散热优化（载板散热层、封装介质）
• 系统级集成（SiP 与 3D IC 混合，替代传统 PCB）

这不仅是技术挑战，更是一个千亿级市场机会，覆盖半导体设计、制造、封装与材料各环节。