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操作顺序
先解锁Flash，再擦除片区，再写入，写完了别忘了加锁。
HAL_FLASH_Unlock();
HAL_FLASHEx_Erase();
HAL_FLASH_Program();
HAL_FLASH_Lock();
擦除操作
首先有个问题，我们为什么要擦除，不能直接覆写吗？答案是不能！！！。Flash存储器是一种非易失性存储器，其存储单元在未编程的时候处于1状态（对于Nor Flash，通常擦除后为全1），写操作是将某些比特位变为0，而只有擦除操作才能将位从0变为1。
typedef struct {uint32_t TypeErase; // 擦除类型uint32_t Banks; // 指定操作的目标 Bankuint32_t Sector; // 起始扇区号uint32_t NbSectors; // 要擦除的扇区数量uint32_t VoltageRange; // 工作电压范围
} FLASH_EraseInitTypeDef;HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *SectorError);
TypeErase ：指定要执行的擦除操作类型。
可选值：
FLASH_TYPEERASE_SECTORS：擦除指定扇区（最常用）FLASH_TYPEERASE_MASSERASE：整片擦除（全芯片擦除）FLASH_TYPEERASE_PAGES：按页擦除（某些系列如 STM32L0/L1）
Banks ：目标存储区，指定要操作的 Flash Bank（存储区）
可选值：
FLASH_BANK_1：操作 Bank1FLASH_BANK_2：操作 Bank2FLASH_BANK_BOTH：同时操作两个 Bank
注意事项：
- 仅对支持多 Bank 的芯片有效（如 STM32F4/F7/H7）
- 单 Bank 芯片固定使用
FLASH_BANK_1
Sector ：指定擦除操作的起始扇区
取值范围：
FLASH_SECTOR_0到FLASH_SECTOR_11（具体取决于芯片型号）- 不同芯片的扇区划分不同：
- STM32F4：扇区0-3(16KB), 扇区4(64KB), 扇区5-11(128KB)
- STM32F7：扇区0-7(32KB), 扇区8-11(128KB)
- STM32H7：扇区0-7(128KB), 扇区8(256KB)
NbSectors ：指定要连续擦除的扇区数量
注意事项：
- 必须大于0
- 扇区必须连续（不能跳过中间扇区）
- 最大数量受芯片实际扇区数限制
VoltageRange：指定芯片当前工作电压范围，影响编程时间和精度
可选值：
FLASH_VOLTAGE_RANGE_1：1.7V - 2.1VFLASH_VOLTAGE_RANGE_2：2.1V - 2.7VFLASH_VOLTAGE_RANGE_3：2.7V - 3.6V（最常用）FLASH_VOLTAGE_RANGE_4：2.7V - 3.6V（特定芯片）
void erase_flash_sectors(uint32_t start_sector, uint32_t num_sectors) {HAL_FLASH_Unlock(); // 解锁FlashFLASH_EraseInitTypeDef erase_init;uint32_t sector_error = 0;// 配置擦除参数erase_init.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS;erase_init.Banks = FLASH_BANK_1; // F407系列只有Bank1erase_init.Sector = FLASH_SECTOR_11;erase_init.NbSectors = 1;erase_init.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;// 执行擦除if (HAL_FLASHEx_Erase(&erase_init, §or_error) != HAL_OK) {// 错误处理if (sector_error != 0xFFFFFFFF) {// sector_error包含失败扇区号Error_Handler();}}HAL_FLASH_Lock(); // 重新锁定Flash
}
写入操作
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data);
| 参数 | 含义 | 可选值/要求 |
|---|---|---|
TypeProgram | 指定编程数据类型宽度 | FLASH_TYPEPROGRAM_BYTE（8位） FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD（16位） FLASH_TYPEPROGRAM_WORD（32位） FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD（64位） |
Address | 写入的目标 Flash 地址 | 必须按数据类型对齐（如32位写入需4字节对齐） |
Data | 要写入的数据（实际使用时会根据类型截断） | 最大支持64位，超宽数据需分多次写入 |
void write_word(uint32_t address, uint32_t data) {HAL_FLASH_Unlock(); // 解锁Flash__HAL_FLASH_CLEAR_FLAG(FLASH_FLAG_ALL_ERRORS); // 清除错误标志// 执行写入HAL_StatusTypeDef status = HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, address, (uint64_t)data);HAL_FLASH_Lock(); // 重新上锁if (status != HAL_OK) {uint32_t error = HAL_FLASH_GetError();Error_Handler(error);}
}// 调用示例
write_word(0x080E0000, 0x12345678); // 向扇区5起始地址写入数据
读取操作
读取操作很简单，没有调用函数，直接按照地址取值即可。
// 读取验证
uint32_t read_val = *(__IO uint32_t*)address;
if (read_val != expected_val) {// 检查地址/擦除状态
}