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1.实验简介

实验目的：

完成 DDR3 的读写测试。

实验环境：

Window11 PDS2022.2-SP6.4

芯片型号：

PG2L50H-484

2.实验原理

      开发板集成 1 颗 4Gbit（512MB）DDR3 芯片,型号为 MT41K256M16。DDR3 的总线宽度共为 16bit。DDR3 SDRAM 的最高数据速率 1066Mbps。

2.1. DDR3 控制器简介

      PG2L50H 为用户提供一套完整的 DDR memory 控制器解决方案，配置方式比较灵活，采用软核实现 DDR memory 的控制，有如下特点：

• 支持 DDR3
• 支持 x8、x16 Memory Device
• 最大位宽支持 32 bit
• 支持精简的 AXI4 总线协议
• 一个 AXI4 256 bit Host Port
• 支持 Self_refresh，Power down
• 支持 Bypass DDRC
• 支持 DDR3 Write Leveling 和 DQS Gate Training
• DDR3 最快速率达 1066 Mbps

3.工程说明

   PDS 安装后，需手动添加 DDR3 IP，请按以下步骤完成：

   DDR3 IP 文件：PG2L_IP\PG2L_IP\DDR3\ips2l_hmic_s_v1_10.iar

    

3.1. DDR3 读写 Example 工程

   打开 PDS 软件，新建工程 ddr3_test，点开如下图标，打开 IP Compiler；

   选择 DDR3 IP，取名 ddr3_test，然后点击 Customize；

   在 DDR3 设置界面中 Step1 按照如下设置：

    Step2 按照如下设置,需要自己新建 DDR3 模型，选择 MT41K256M16XX 为模板，并保持Timing parameters 和地址以及 Drive Options 和下图设置的一致。

   Step3 按照如下设置，勾选 Custom Control/Address Group，管脚约束参考原理图：

     提醒：

     在设置 IP 核时，step 3：pin/bank options 中，管脚设置中的 Group Number 与原理图的对应关系如下图：

      R5 表示 BANK5，G1 表示 Group Nmuber 为 1。

      Step4 为概要，点击 Generate 可生成 DDR3 IP；

      关闭本工程，按此路径打开 Example 工程：

打开顶层文件,需要对顶层文件进行修改，具体参考详细代码。下图是经过修改后的顶层文件。

       对“Step3 已做管脚约束”外的其他管脚，对照原理图使用 UCE 工具进行修改，移植的话可以直接参考工程的 fdc 文件进行移植。

       以下管脚可约束在 LED，方便观察实验现象；

      可按以下方式查看 IP 核的用户指南，了解 Example 模块组成；

4.实验现象

      下载程序，可以看到 LED1 常亮，LED3 闪烁， LED4 闪烁，LED5 常亮；

      提醒：

      Heart_beat_led 信号闪烁表示 ddrphy 系统时钟正常。

      err_flag_led 信号闪烁说明数据检测无错误。可在 IP 核数据手册中找到。

      如果正常的话，err_flag_led 闪烁的速度快于 heart_beat_led 的闪烁速度。