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2023 年 7 月，瑞士洛桑联邦理工学院的 Hongkeng Zhu 和 Elison Matioli 在《IEEE Transactions on Power Electronics》期刊发表了题为《Accurate Measurement of Dynamic ON-Resistance in GaN Transistors at Steady-State》的文章，基于提出的稳态测量方法，研究了氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的动态导通电阻（Ron），实验结果表明商业 GaN 器件在稳态下动态 Ron 变化显著，其稳定时间可达数分钟且与电压相关，脉冲测量易因测试时间不足导致结果不准确，该研究对准确预测 GaN 晶体管在实际功率转换器中的导通损耗以及公平比较不同 GaN 技术具有重要意义。
主要结论：
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某些商业 GaN HEMT 器件在稳态下动态导通电阻（Ron）存在显著增加，且其稳定时间可达数分钟，与关断电压相关，如在 100V 下约需 3 分钟稳定，在 400V 下约需 10 秒稳定。
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器件内部的陷阱效应