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低温介电（low-temperature dielectric）是指材料在低温环境下（通常低于室温，如液氮温度77K或液氦温度4.2K）表现出的介电性质。这类材料在低温下具有独特的介电响应、极化行为和能量存储特性，广泛应用于超导器件、量子计算、航天电子、低温电子学等领域。

一、低温介电材料的特点
1、介电常数（ε）的变化
温度降低时，介电常数可能因晶格振动（声子）减弱、偶极子冻结或电子极化率变化而显著改变。
某些材料（如钛酸锶钡BST）在低温下介电常数会降低，而部分铁电材料可能因相变出现介电峰。
2、介电损耗（tanδ）降低
低温下材料内部缺陷、偶极弛豫或电导损耗减少，介电损耗通常降低，适合高频低损耗应用。
3、铁电/反铁电相变
部分铁电材料（如KDP、TGS）在低温下发生铁电-顺电相变，介电常数出现峰值。
4、界面效应增强
低温下界面极化（如 Maxwell-Wagner 极化）可能更显著，影响复合材料性能。

二、典型低温介电材料
1、氧化物陶瓷
Al₂O₃、SiO₂：低介电损耗，用于超导器件绝缘层。
钛酸锶（SrTiO₃）：量子顺电体，介电常数在低温下极高（~10⁴）。
2、聚合物材料
聚酰亚胺（PI）、聚四氟乙烯（PTFE）：柔韧性好，低温下介电稳定性优异。
3、复合材料
陶瓷/聚合物复合（如AlN/环氧树脂），兼顾导热与介电性能。
4、低温铁电体
钽酸锂（LiTaO₃）、铌酸锂（LiNbO₃）：用于低温压电器件。

三、应用领域
超导电子学
作为超导薄膜（如NbN、YBCO）的衬底或隔离层，需低介电损耗以避免微波损耗。
量子计算
超导量子比特（Transmon）中，低损耗介电材料（如蓝宝石）用于减少能量弛豫。
航天与深空探测
极端低温环境下（如冥王星表面40K），电子器件需介电材料稳定工作。
低温储能电容器
高能量密度介电材料在低温下可能表现更优（如聚合物纳米复合介质）。