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前言
还记得大学用MOS做仿真，来进行原理说明时，总是会将三极管和MOS的叫法搞混。本篇文章就重新回顾，加深下印象。
1. 三极管（BJT）的三个工作状态
BJT 是电流控制型器件，其工作状态由 基极电流 IB 和 集电极-发射极电压 VCE共同决定，分为：
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截止区（Cutoff Region）
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条件：VBE<Vth（发射结反偏或零偏），IB≈0。
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特点：IC≈0，三极管完全关闭，相当于开关断开。
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放大区（Active Region）
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条件：VBE>Vth（发射结正偏），VCE>VBE（集电结反偏）。
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特点：IC=βIB，电流受 IBIB 线性控制，用于模拟信号放大。
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饱和区（Saturation Region）
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条件：VBE>Vth（发射结正偏），VCE<VBE（集电结正偏）。
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特点：IC不再随 IB线性增长，VCE 很低（≈0.2V），相当于开关闭合。
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BJT 的命名逻辑：
"截止" 强调无电流通过（完全关断）。
"放大" 强调电流受控（线性工作）。
"饱和" 强调电流达到最大，无法再增大（类似开关导通）。
2. MOSFET 的三个工作状态
MOSFET 是电压控制型器件，其工作状态由 栅源电压 VGS 和 漏源电压 VDS 决定，分为：
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截止区（Cutoff Region），或者叫做夹断区
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条件：VGS<Vth（阈值电压）。
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特点：ID≈0，沟道未形成，MOSFET 关闭。
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线性区（Triode/Ohmic Region），也叫做可变电阻区或非饱和区
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条件：VGS>Vth，且 VDS<VGS−Vth。
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特点：ID 随 VDS 线性变化，类似可变电阻，用于开关或模拟调制。
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饱和区（Saturation Region），即恒流区
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条件：VGS>Vth，且 VDS>VGS−Vth。
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特点：ID 几乎不随 VDS 变化，受 VGS 控制，用于放大。
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MOSFET 的命名逻辑：
"截止" 与 BJT 相同，表示关断。
"线性区"（Triode） 强调 ID 与 VDS 呈线性关系（类似电阻）。
"饱和区" 并非电流饱和，而是指 ID 不再随 VDS 增大（受 VGS 控制）。
3. 为什么命名不同？
（1）控制方式不同
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BJT 是电流控制（IB 决定 IC），其 "饱和" 指 IC 不再受 IB 控制。
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MOSFET 是电压控制（VGS 控制 ID），其 "饱和" 指 ID 不再受 VDS 影响。
（2）物理机制不同
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BJT 的 "饱和" 是由于集电结正偏，载流子堆积导致电流无法继续增大。
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MOSFET 的 "饱和" 是由于沟道夹断（Pinch-off），ID 由 VGS 主导。
（3）历史习惯
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BJT 的术语来自早期双极型晶体管研究，沿用真空三极管的术语体系，强调电流控制特性。
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MOSFET 的术语来自场效应管（FET）的电压控制特性，"Triode" 借用了真空三极管的命名；饱和区源自半导体物理中的“沟道夹断”（Channel Pinch-off），此时电流由栅压主导而非漏压，但早期研究者误称其为“饱和”，后成惯例。
（4）应用场景分化
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BJT 主导模拟时代（1950s~1970s）,早期电路设计以模拟放大为核心，BJT的放大区是主要工作状态，“饱和”仅作为开关态辅助功能，术语体系围绕β（电流增益）构建。
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MOSFET引爆数字时代（1970s后），设计者更关注导通电阻（Ron）和阈值电压，术语重心向开关特性倾斜。
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行业习惯也因此固化：BJT术语服务于模拟工程师，MOSFET术语服务于数字工程师，两者在各自领域形成封闭的命名体系，无人愿意统一
（5）学术界与工业界的“妥协”
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教科书的分裂
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早期半导体教材（如1960年代的《固态电子学》）按器件物理严格定义，但BJT和MOSFET分属不同章节，未强制统一。
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模拟电路教材（如Gray & Meyer）沿用BJT术语，数字IC教材（如Rabaey）侧重MOSFET术语。
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厂商的推波助澜
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德州仪器（TI）等BJT厂商的数据手册强调“Active/Saturation”，而英特尔（Intel）等MOSFET厂商的数据手册则标注“Triode/Saturation”。
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行业巨头各自为政，导致工程师必须掌握两套术语。
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（6）现代试图统一失败
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IEEE标准尝试
1990年代IEEE曾提议将MOSFET的“饱和区”改为Active Mode（与BJT一致），但因以下原因失败：集成电路设计已依赖现有术语数十年，修改成本过高；物理上MOSFET的“饱和”更接近BJT的“放大区”，但工程师已习惯反向类比。
4. 关键对比总结
| 特性 | BJT（三极管） | MOSFET（场效应管） |
|---|---|---|
| 控制方式 | 电流控制（IB） | 电压控制（VGS） |
| 信号放大区命名 | Active Region（放大区） | Saturation Region（饱和区） |
| 开关导通区命名 | Saturation Region（饱和区） | Triode Region（线性区） |
| 关断区命名 | Cutoff Region（截止区） | Cutoff Region（截止区） |
5. 结论
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BJT 的 "饱和" 对应开关导通，而 MOSFET 的 "饱和" 对应放大状态，这是最大的混淆点。
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MOSFET 的 "线性区" 才是低阻导通状态（类似 BJT 的饱和区），用于开关应用。
在实际应用中，BJT 更适合大电流驱动，而 MOSFET 更适合高输入阻抗和高速开关场景。