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编辑：ll

4N60-ASEMI开关电源与适配器专用4N60

型号：4N60

品牌：ASEMI

封装：TO-220F

批号：最新

最大漏源电流：4A

漏源击穿电压：600V

RDS（ON）Max：2.50Ω

引脚数量：3

沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管

漏电流：ua

特性：N沟道MOS管、场效应管

工作温度：-55℃~150℃

‌高耐压与稳定性能‌
4N60系列MOS管采用N沟道增强型设计，漏源击穿电压达600V，栅源电压范围±30V，可稳定应对高压环境下的复杂工况‌。其雪崩能量达180mJ，支持宽温工作（-55℃至150℃），在过载或极端温度下仍保持可靠输出‌。

‌低损耗与高效能‌
在栅极电压10V时，导通电阻（RDS(ON)）低至2.3Ω~2.5Ω，显著降低导通损耗；部分型号栅极电荷仅13.5nC（典型值），配合快速切换能力，开关速度提升30%，适用于高频开关场景‌。

‌多样化封装适配灵活设计‌
提供TO-220、TO-251、TO-252等封装形式，满足紧凑型设备与高散热需求。TO-220封装凭借104W的高功耗能力，成为工业电源和电机驱动的首选方案‌

开关电源与适配器‌
凭借低导通电阻和快速响应特性，4N60系列在AC-DC转换器中实现95%以上的能效，广泛应用于消费电子电源与工业级适配器‌。

‌智能家电与电机驱动‌
支持PWM调速和桥式电路设计，为高压吹风机、智能电饭煲等家电提供稳定动力，并在电动汽车电机控制中实现精准功率管理‌。

‌新能源与储能系统‌
在光伏逆变器、储能设备中，其高耐压特性保障电能高效转换，雪崩能力提升系统在电网波动时的稳定性‌。

‌LED照明与通信设备‌
用于高压LED驱动模块，确保宽电压输入下的亮度一致性；在射频放大器中，低反向传输电容保障信号保真度‌。