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在当今快速发展的科技领域，数据存储的需求日益增长，对存储设备的性能和可靠性提出了更高的要求。传统DRAM以其高速度著称，但其易失性限制了应用范围；而固态硬盘SSD虽然提供非易失性存储，但在速度上远不及DRAM。

为了解决这一难题，德国Ferroelectric Memory Co.（FMC）与Neumonda合作推出了一种新型存储技术——“DRAM+”，它利用氧化铪（HfO₂）铁电材料，旨在提供类似DRAM的高性能同时具备SSD般的非易失性存储能力。

早期的铁电随机存取存储器（FeRAM）主要采用锆钛酸铅（PZT）作为铁电层，然而这种材料存在显著局限。首先，商业化的PZT FeRAM产品容量通常仅为几兆字节（MB），如4MB或8MB，难以满足现代计算需求。其次，PZT与标准CMOS工艺集成困难，特别是在小于10纳米的制程节点中表现不佳，导致制造成本高昂且单元结构占用较大芯片面积。

FMC通过使用氧化铪（HfO₂）作为铁电材料实现了重大突破。HfO₂不仅与现有CMOS工艺兼容，还能够在小于10纳米的先进制程节点下工作，极大地提高了存储密度并降低了生产成本。更重要的是，HfO₂的铁电效应使其能够在断电后保留数据，解决了DRAM的易失性问题。这意味着基于HfO₂的FeRAM不仅保持了DRAM的高读写速度，还提供了低功耗和数据持久性。

DRAM+的核心优势在于其高容量、非易失性和高性能。 它的目标是将存储密度提升至千兆比特（Gb）甚至更高，同时保持非易失性。这使得DRAM+适用于多种行业，包括但不限于人工智能、汽车电子、消费电子，特别在数据中心场景，DRAM+可能成为下一代存储级内存（SCM）的重要组成部分，与英特尔Optane等产品竞争。

为了确保DRAM+技术的成功实施，FMC与Neumonda建立了合作关系。Neumonda提供的Rhinoe、Octopus和Raptor等先进测试平台，专为低成本、高效能和独立存储器测试设计，能够提供传统设备无法实现的详细分析。这些平台不仅能加速DRAM+产品的开发进程，还能帮助降低成本，提高产品质量。

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