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在MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）中，漏源电压 VDS 的平台电压是其输出特性曲线中的一个关键概念。
定义
在MOSFET的输出特性曲线里，当器件工作于饱和区时，漏源电流ID对漏源电压VDS的变化不太敏感，此时漏源电压存在一段相对稳定的区间，这个相对稳定的电压值就被叫做漏源电压VDS的平台电压。
形成原理
- MOSFET由栅极（G）、源极（S）和漏极（D）构成。当在栅源之间施加电压 VGS 且该电压大于开启电压 VTH 时，会在栅极下方的半导体表面形成导电沟道。
- 随着漏源电压 VDS 逐渐增加，起初漏源电流 ID 会随之线性增大，此时MOSFET工作在可变电阻区。
- 当 VDS 增大到一定程度，靠近漏极一侧的沟道开始出现夹断，之后继续增加 VDS，夹断区会向源极方向延伸，而沟道中电场强度的增加会基本抵消沟道电阻的增加，导致 ID 不再随 VDS 明显变化，进入饱和区，这时便出现了平台电压。
重要意义
- 电路设计参考：平台电压是MOSFET的关键参数之一，电路设计人员可依据平台电压来选定合适的MOSFET器件，以确保电路在规定的电压和电流条件下稳定运行。例如在开关电源电路中，需要根据电源的输出电压和负载电流来选择具有合适平台电压的MOSFET，这样能保证MOSFET在饱和区工作时，既可以实现高效的电能转换，又能避免因电压过高损坏器件。
- 性能评估指标：平台电压的大小和稳定性反映了MOSFET的性能。较小的平台电压意味着在相同的漏源电流下，MOSFET的功率损耗更小，效率更高。所以在评估MOSFET的性能时，平台电压是一个重要的考量指标。