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"Fan Out"晶圆级封装（Fan-Out Wafer-Level Packaging，简称FOWLP）是一种半导体封装技术，它允许在芯片的边界之外进行更多的I/O布线，从而提高了I/O密度，减小了封装尺寸，同时也改善了电性能。

在传统的晶圆级封装（WLP）中，芯片的连接点（或称为I/O点）是直接在芯片的表面上。但是，随着半导体技术的发展，芯片的尺寸越来越小，而I/O点的数量却越来越多，这使得在芯片表面上找到足够的空间来放置所有的I/O点变得越来越困难。

FOWLP技术解决了这个问题。在FOWLP中，芯片首先被放置在一个更大的载体（通常是一个晶圆）上，然后通过一层重分布层（RDL）将芯片的I/O点连接到载体的表面。这样，I/O点就可以“扇出”到芯片的边界之外，从而实现更高的I/O密度。

FOWL分别有三种工艺形式：face-up,face-down,RDL-fist.

face-up(面朝上)：

面朝上（Die-Up）的Fan-Out Wafer-Level Packaging（FOWLP）是一种常见的封装工艺。在这个工艺中，半导体芯片（die）是面朝上放置在载体上的。以下是面朝上FOWLP工艺的基本步骤：

1.芯片放置：首先，将半导体芯片面朝上放置在一个临时载体（通常是晶圆）上。

2.模塑：然后，使用模塑材料（通常是环氧树脂）将芯片和载体封装在一起。这个步骤可以提供机械支撑，同时也可以保护芯片。

3.重分布层（RDL）制作：接下来，通过光刻和电镀等工艺在模塑材料上制作重分布层。RDL可以将芯片的I/O点连接到载体的表面，从而实现I/O点的“扇出”。

4.焊球附着：然后，通过焊球附着（Ball Attach）工艺在RDL上形成焊球。这些焊球可以用于将封装后的芯片连接到电路板上。

5.去载体：最后，通过一种叫做去载体（Debonding）的工艺将封装后的芯片从临时载体上移除。

face-down（面朝下）

面朝下（face-Down）的Fan-Out Wafer-Level Packaging（FOWLP）是另一种常见的封装工艺。在这个工艺中，半导体芯片（die）是面朝下放置在载体上的。以下是面朝下FOWLP工艺的基本步骤：

1. 芯片放置：
2. 模塑
3. 去载体
4. 重分布层（RDL）制作：

5，焊球附着

   RDL-fist：

RDL-first（重分布层先行）是Fan-Out Wafer-Level Packaging（FOWLP）的一种工艺流程。在这个工艺中，重分布层（RDL）是在芯片放置之前制作的。以下是RDL-first FOWLP工艺的基本步骤：

1. 重分布层（RDL）制作
2. 芯片放置
3. 模塑
4. 去载体

5，焊球附着

这些不同的方法提供了不同的成本和性能权衡。在成本方面，先开模面朝下的方式避免了制作铜柱和背面研磨的需要，因此制作成本较低。它最适合低 I/O 数量的情况；然而，芯片偏移、晶圆翘曲等问题限制了其在复杂多芯片封装中的应用。

面朝上的方法减少了这些问题，并且在热管理方面具有优势，因为芯片背面完全暴露，有助于散热。

在性能上，面朝下的方法比其他两种方法具有更短的连接路径。这两种方法都使用铜柱将连接延伸到 RDL，并在芯片下方增加了一层材料，增加了连接之间的寄生电容，从而影响了它们的高频性能。

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