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1. 基本结构与工作原理
| 特性 | MOSFET | BJT | IGBT |
|---|---|---|---|
| 全称 | 金属氧化物半导体场效应管 | 双极结型晶体管 | 绝缘栅双极型晶体管 |
| 控制方式 | 电压控制（栅极电压） | 电流控制（基极电流） | 电压控制（栅极电压） |
| 载流子 | 多子导电（电子或空穴） | 多子和少子共同导电 | 多子和少子共同导电 |
| 结构 | 栅极-源极-漏极（无PN结导通） | 发射极-基极-集电极（PN结导通） | MOSFET栅极 + BJT集电极 |
2. 电气特性对比
| 特性 | MOSFET | BJT | IGBT |
|---|---|---|---|
| 输入阻抗 | 极高（几乎不消耗驱动功率） | 低（需持续基极电流） | 高（类似MOSFET） |
| 开关速度 | 极快（ns级） | 较慢（μs级） | 中等（介于MOSFET和BJT之间） |
| 导通损耗 | 低（低压应用） | 中（饱和压降约0.2-0.7V） | 低（高压下优于MOSFET） |
| 耐压能力 | 中低压（通常<200V） | 中高压（可达1000V） | 高压（可达6500V） |
| 热稳定性 | 好（正温度系数） | 差（负温度系数，易热失控） | 较好（正温度系数） |
3. 典型应用场景
| 器件 | 优势场景 | 局限性 |
|---|---|---|
| MOSFET | 高频开关（DC-DC转换器、CPU供电）、低压大电流（<100V） | 高压下导通损耗大 |
| BJT | 低成本线性放大、中压开关（如音频功放） | 驱动复杂、开关速度慢 |
| IGBT | 高压大功率（变频器、电动汽车、工业电机） | 开关频率较低（通常<100kHz） |
4. 关键区别总结
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控制方式
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MOSFET/IGBT：电压控制，驱动简单。
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BJT：电流控制，需持续基极电流。
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频率与效率
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高频应用：MOSFET（如开关电源）。
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高压大电流：IGBT（如逆变器）。
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低成本低频：BJT（如小信号放大）。
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损耗特性
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MOSFET：导通电阻（Rds(on)）决定损耗，低压下效率高。
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IGBT：导通压降（Vce）固定，高压下效率优于MOSFET。
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5. 选型建议
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低压高频（<100V）：选 MOSFET（如服务器电源）。
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中压中频（100-1000V）：根据成本选择 BJT（简单电路）或 MOSFET（需高频）。
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高压大功率（>1000V）：选 IGBT（如风电变流器）。