【硬件-笔试面试题】硬件/电子工程师,笔试面试题-35,(知识点:三极管知识点,电路电压计算题,三极管电压计算,PNP三极管)
目录
1、题目
2、解答
步骤一:分析\(U_I = 0V\)时晶体管的工作状态及输出电压\(U_O\)
步骤二:分析\(U_I = - 5V\)时晶体管的工作状态及输出电压\(U_O\)
3、相关知识点
一、晶体管的工作状态
二、稳压管的特性
三、电路分析的基本方法
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【硬件-笔试面试题】硬件/电子工程师,笔试面试题-35,(知识点:三极管知识点,电路电压计算题,三极管电压计算,PNP三极管)
1、题目
2、解答
本题可根据 PNP 型晶体管的工作原理,结合电路中的参数对晶体管的工作状态及输出电压进行分析计算。
步骤一:分析\(U_I = 0V\)时晶体管的工作状态及输出电压\(U_O\)
对于 PNP 型晶体管,发射结正偏(\(U_{EB}>0\))、集电结反偏(\(U_{CB}<0\))时工作在放大状态;发射结和集电结均反偏时截止;发射结正偏、集电结正偏时饱和。
当\(U_I = 0V\)时,晶体管的基极电位\(V_B = 0V\),发射极电位\(V_E = 0V\)(接地),所以发射结电压\(U_{EB}=V_E - V_B=0V - 0V = 0V\),发射结零偏;集电结电压\(U_{CB}=V_C - V_B\),此时集电极电位\(V_C\)由电源\(-V_{CC}(-12V)\)和电路其他元件决定,\(U_{CB}<0\)(因为\(V_C<0\),\(V_B = 0V\)),集电结反偏。但由于发射结零偏,没有正向电流,晶体管截止。
此时,集电极电流\(I_C = 0\),电阻\(R_C\)上没有电压降,稳压管两端的电压由电源\(-V_{CC}(-12V)\)和稳压管的稳定电压\(U_Z = 5V\)决定。根据电路分析,输出电压\(U_O=-U_Z=-5V\)(因为稳压管反向击穿,稳定电压为5V,所以输出电压为\(-5V\)),所以选项 A 正确,选项 B 错误
步骤二:分析\(U_I = - 5V\)时晶体管的工作状态及输出电压\(U_O\)
首先计算基极电流\(I_B\),对于 PNP 型晶体管,基极电流\(I_B\)的计算公式为\(I_B=\frac{\vert U_{EB}\vert-\vert U_I\vert}{R_b}\)(这里\(U_{EB}\)为发射结正向电压,\(\vert U_{BE}\vert = 0.2V\),所以\(\vert U_{EB}\vert = 0.2V\))。
代入数据可得\(I_B=\frac{0.2V-\vert - 5V\vert}{10k\Omega}\),这里计算发现分子为负数,说明之前的电流方向假设错误,正确的基极电流计算应该考虑 PNP 型晶体管的电流方向,基极电流是流出基极的。
重新计算,发射结正偏时\(U_{EB}=0.2V\),所以\(V_B=V_E - U_{EB}=0V - 0.2V=-0.2V\)。
基极电流\(I_B=\frac{V_B - U_I}{R_b}=\frac{- 0.2V-(-5V)}{10k\Omega}=\frac{4.8V}{10k\Omega}=0.48mA\)。
然后计算临界饱和电流\(I_{BS}\),临界饱和时\(U_{EC}=U_{CES}\)(PNP 型晶体管饱和管压降为\(U_{ECS}\),这里\(\vert U_{CES}\vert = 0.1V\),所以\(U_{ECS}=0.1V\)),根据集电极回路方程:
\(I_{CS}=\frac{\vert - V_{CC}\vert - U_{ECS}}{R_C}=\frac{12V - 0.1V}{1k\Omega}=11.9mA\)
\(I_{BS}=\frac{I_{CS}}{\beta}=\frac{11.9mA}{50}\approx0.238mA\)
由于\(I_B = 0.48mA>I_{BS}\),所以晶体管饱和。
此时,\(U_{EC}=U_{ECS}=0.1V\)(PNP 型晶体管饱和时发射极 - 集电极电压为饱和管压降)
3、相关知识点
本题主要考查晶体管(三极管)的工作状态(截止、放大、饱和)的判断以及稳压管的特性等相关知识,以下是详细的知识点讲解:
一、晶体管的工作状态
晶体管有三种工作状态:截止、放大和饱和。判断晶体管工作状态的关键是分析发射结和集电结的偏置情况,以及基极电流、集电极电流的关系。
- 截止状态
- 偏置条件:发射结反偏(或零偏),集电结反偏。
- 电流特点:基极电流\(I_B\approx0\),集电极电流\(I_C\approx0\),晶体管相当于开路。
- 应用场景:在数字电路中,晶体管截止时相当于开关断开。
- 放大状态
- 偏置条件:发射结正偏,集电结反偏。
- 电流关系:\(I_C=\beta I_B\)(\(\beta\)为晶体管的电流放大倍数),集电极电流与基极电流成正比,体现了晶体管的电流放大作用。
- 应用场景:在模拟电路中,如放大电路,晶体管工作在放大状态,实现信号的放大。
- 饱和状态
- 偏置条件:发射结正偏,集电结正偏。
- 电流特点:\(I_C\)不再随\(I_B\)的增大而增大,\(I_C<I_{CS}\)(\(I_{CS}\)为临界饱和电流,\(I_{CS}=\frac{V_{CC}-U_{CES}}{R_C}\),\(U_{CES}\)为饱和管压降),此时\(I_B>I_{BS}\)(\(I_{BS}=\frac{I_{CS}}{\beta}\)为临界饱和基极电流)。
- 应用场景:在数字电路中,晶体管饱和时相当于开关闭合。
二、稳压管的特性
稳压管是一种特殊的二极管,工作在反向击穿区时,其两端的电压基本保持不变,这个电压称为稳压管的稳定电压\(U_Z\)。当稳压管正向导通时,其导通电压\(U_D\)与普通二极管相似,一般为\(0.5V\)左右。稳压管在电路中常用于稳定电压、限幅等。
三、电路分析的基本方法
在分析晶体管电路时,通常采用以下步骤:
- 确定晶体管的类型:本题中晶体管为 PNP 型,PNP 型晶体管的电流方向与 NPN 型相反,发射极电位高于基极电位时发射结正偏。
- 分析基极回路:根据输入电压\(U_I\)和基极电阻\(R_b\)计算基极电流\(I_B\)。
- 分析集电极回路:根据电源电压\(V_{CC}\)、集电极电阻\(R_C\)和晶体管的饱和管压降\(U_{CES}\)计算临界饱和电流\(I_{CS}\)和临界饱和基极电流\(I_{BS}\)。
- 判断工作状态:比较实际基极电流\(I_B\)和临界饱和基极电流\(I_{BS}\),判断晶体管是工作在放大状态还是饱和状态;若\(I_B\approx0\),则晶体管截止。
- 计算输出电压:根据晶体管的工作状态和稳压管的特性计算输出电压\(U_O\)。
通过对这些知识点的理解和应用,可以准确分析晶体管电路的工作状态和输出特性,解决类似的电路分析问题。
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