MOS管炸了，PWM“死区”时间得了解一下

从字面上来看“死区”的意思就是：如果处于这个区，那就会出现“损坏”的现象，直白点，就是“禁区”！

实际应用中，比如大功率设备的电机，还有变频器等驱动电路，多部分都是采用MOS管和IGBT管来组成H桥。

如果在驱动的H桥的过程中，“死区时间”过短，就可能会导致上管和下管同时导通，导致电源和GND短路，电流瞬间增大，损坏MOS管或者IGBT管，如下图所示：

H桥正常工作时的电流流向如下图所示：

而对于三相电来说，采用的三个H桥臂电路也是同理。

如果上面的图还是无法理解，那可以看一下半桥的电路，如下图所示：

如上图所示，如果Q1和Q2同时导通的话，那VCC和GND之间的阻值就会非常低，接近短路了，电流将会瞬间增大到一个幅度，造成的后果就是炸管（MOS管过流烧毁）。

为了避免这种情况，在编写驱动程序时，需要留有足够的的“死区时间”。

在实际项目中，需要观察设备的电流和电压波形来微调，从而确定最佳的“死区时间”。

死区时间太短太长都会对设备运行造成影响，太短了，波形容易出现尖峰，太长了，减少了驱动的有限输出效率，影响运行效果。

一般实际调试中，可以先预定一个估算时间，比如1μs。然后运行设备观察运行的波形，如果发现波形容易出现尖峰就逐步加大死区时间，加到尖峰消失为止（前提硬件是没问题的）。

接着在波形无尖峰的情况下，再逐步减少死区时间，直到刚好找到波形恶化的点即可，这个办法是普遍适用的。