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基本命名规则

格式：V + 器件类型 + 极性/功能

第一个字母：电量类型

• V = Voltage（电压）
• I = Current（电流）

第二个字母：器件类型

• C = Collector（集电极）- 双极晶体管
• B = Base（基极）- 双极晶体管 / Battery（电池）
• E = Emitter（发射极）- 双极晶体管
• D = Drain（漏极）- MOSFET
• G = Gate（栅极）- MOSFET
• S = Source（源极）- MOSFET

第三个字母：极性标识

• D = 正电源（Drain/正极）
• S = 负电源/地（Source/负极）

常见电压符号

双极晶体管电路

• VCC - 正电源电压（NPN晶体管集电极电源）
• VEE - 负电源电压（PNP晶体管发射极电源）
• VBB - 基极偏置电压

MOSFET电路

• VDD - 正电源电压（N沟道MOSFET漏极电源）
• VSS - 负电源电压/地（N沟道MOSFET源极）
• VGG - 栅极偏置电压

通用符号

• VCC - 正电源（最常用）
• GND - 地线/零电位参考点
• VIN - 输入电压
• VOUT - 输出电压
• VREF - 参考电压
• VPP - 峰-峰值电压
• VRMS - 有效值电压

特殊功能电压

• VBAT - 电池电压
• VIO - 输入/输出电压
• VCORE - 核心电压
• VANA - 模拟电源电压
• VDDA - 模拟正电源
• VSSA - 模拟地
• AVDD - 模拟VDD
• DVDD - 数字VDD

应用示例

典型微控制器电路

VDD/VCC: +3.3V 或 +5V（主电源）
VSS/GND: 0V（地线）
VDDA: +3.3V（模拟电源）
VSSA: 0V（模拟地）
VBAT: +3V（备用电池）

运算放大器电路

VCC: +15V（正电源）
VEE: -15V（负电源）
GND: 0V（信号地）

数字逻辑电路

VDD: +5V 或 +3.3V
VSS: 0V
VIH: 输入高电平
VIL: 输入低电平
VOH: 输出高电平
VOL: 输出低电平

现代命名趋势

CMOS电路常用：

• VDD/VSS（来自MOSFET术语）

传统TTL电路：

• VCC/GND（来自双极晶体管术语）

混合使用：

• 现代电路中VCC和VDD经常混用，都表示正电源