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2020 年，浙江大学电气工程学院的Shaowen Han等人采用实验研究的方法，对垂直 GaN-on-GaN PiN 二极管中电导调制的瞬态行为及其对动态导通电阻（RON）的影响进行了深入探究。他们基于高质量的 GaN 基板开发的垂直 GaN-on-GaN 功率器件具有高电流容量和高击穿电压等优势，而与间接带隙半导体（如 Si 和 SiC）不同，直接带隙的 GaN 能实现光子再循环，进而可能在垂直 GaN-on-GaN PiN 二极管中引发光子增强的 p-GaN 激活和电导调制。研究中，他们通过测量垂直 GaN-on-GaN PiN 二极管的准静态 I-V 特性发现其微分导通电阻（RON,sp）明显低于计算值且随正向电压降低，证实了电导调制的存在，进一步的脉冲 I-V 特性测试及双脉冲测试（DPT）电路实验表明，导通时间（tON）和导通电流（ION）的增加可增强电导调制。此外，他们还利用 DPT 结合钳位电路评估了从高电压应力切换后的动态 RON 性能，并通过调整电感和关断电压等参数，研究了不同 ION 和 tON 下的动态 RON 变化，最终首次在垂直 GaN-on-GaN PiN 二极管中通过高速板级测试验证了负动态 RON 现象。该研究结果对高功率和高频应用领域具有重要意义，垂直 GaN-on-GaN PiN 二极管展现出的传导调制、负动态 RON 以及超短本征少数载流子寿命等特性，使其有