FT8783ND1低成本5V2A电源芯片方案替代LP3783A（轻松过EMC,过认证）
在当今竞争激烈的电源市场中，如何在保证性能的同时降低成本，是每个工程师都面临的挑战。传统方案如LP3783A虽然可靠，但其复杂的外围电路和高昂的物料成本，已难以满足市场对低成本、高性能电源的需求。FT8783ND1凭借其创新的原边反馈技术和集成的功率管，为5 V/2 A电源设计提供了一种全新的解决方案，不仅大幅简化了电路设计，降低了成本，还轻松满足了六级能效要求，为工程师们带来了新的选择。
芯片速览：FT8783ND1为何能替代LP3783A
| 项目 | FT8783ND1 | LP3783A |
|---|---|---|
| 反馈方式 | 原边PSR，无光耦 | 副边+光耦+TL431 |
| 功率管 | 内置NPN 700 V | 外置MOSFET |
| 待机功耗 | <75 mW@230 V | ≈120 mW |
| 效率 | 84.5 %@5 V/2 A | 82 % |
| 外围元件 | 19颗 | 28颗 |
| 封装 | SOP-7 | SOT23-6+TO-92 |
一句话：省掉光耦、431、次级检流电阻，BOM成本直接下浮12 %，人工插件减少30 %。
电路原理图：19颗料就能跑
核心拓扑——原边反激+PSR+同步整流
原理图亮点
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无Y电容也能过EMI，靠芯片抖频+斜率补偿
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VDD启动电流仅3 µA，启动电阻1.5 MΩ，0.3 s上电
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短路保护：FB<0.5 V且持续36 ms，进入打嗝模式
PCB布局：单面板双元件，36 mm × 35 mm
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TOP：插件件（变压器、电解、共模）
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BOT：贴片件（芯片、电阻、电容）
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走线口诀
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高压环路（Drain→T1→Rcs→GND）<15 mm，面积<1 cm²
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同步整流大电流回路（T1→D2→USB→GND）短而粗，≥1 mm铜宽
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FB取样走差分，远离Drain，包地屏蔽
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VDD电容紧靠芯片4脚，地单点接高压电容负极
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EMC秘籍
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抖频已集成，无需外加频率调制
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变压器的辅助绕组同名端与Drain反向，抵消共模
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USB口加100 µF+100 nF并联，辐射余量>9 dB
变压器规格：EE16，3绕组，自动绕线机友好
| 绕组 | 匝数 | 线径 | 感量 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| Np | 110 T | 0.12 mm | 1.8 mH±5 % | 原边 |
| Ns | 11 T | 0.35 mm×2 | —— | 次级，铜箔亦可 |
| Na | 20 T | 0.12 mm | —— | 辅助，给VDD供电 |
绕制顺序——
Np→Ns→Na，无屏蔽、无磁芯接地，普通反激结构，自动绕线机55 s/颗，人工成本再降1元。
BOM清单：19颗料
总计19颗，贴片比例>60 %，适合SMT+AI混合线。
实测数据：轻松过六级能效
| 测试项 | 115 VAC | 230 VAC | 六级限值 |
|---|---|---|---|
| 平均效率 | 84.5 % | 84.4 % | ≥84.0 % |
| 待机功耗 | 68 mW | 72 mW | ≤75 mW |
| 纹波 | 120 mV | 144 mV | ≤200 mV |
| 传导余量 | -8 dB | -7 dB | 0 dB |
| 辐射余量 | -9 dB | -9 dB | 0 dB |
温升——芯片表面98 ℃@45 ℃环温，余量>20 K
三步完成替代LP3783A
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直接换板：保持EE16变压器、MB6S桥堆、USB座
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调整Rcs：1.2 Ω→1.3 Ω（恒流点2 A）
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拿掉光耦+431：FB分压电阻按3 k/18 k贴回，BOM减少9颗料
