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四、简述一下：一个产品生产的流程：

面试官您好，完整的产品生产流程围绕 “需求 - 设计 - 验证 - 量产” 展开，核心是跨角色协作与风险管控，共 7 步：

1.需求立项：项目经理牵头，联合软硬件 / 采购评审需求，输出经客户确认的《需求规格说明书》后立项；

2.硬件设计：硬件工程师画原理图，同步联动软件（确认驱动兼容）、采购（确认供应链），评审通过后推进；

3.PCB Layout：Layout 工程师布局、布线，联合硬件 / 生产做可制造性评审，输出 Gerber 文件制板；

4.样品制作：采购按 BOM 采料，生产 1-2 块样品，排查焊接问题；

5.联调测试：软硬件工程师同步调试（硬件测功能、软件做适配），解决问题至样品达标；

6.小批量验证：小批量生产后，做可靠性测试（高低温 / 老化）+ 客户试用，无问题则进入量产；

7.量产售后：采购保障供应链，生产批量落地并抽检，售后收集反馈形成优化闭环。

五、如果单片机最小系统板没有正常工作，如何排查？

面试官您好，排查单片机最小系统故障，核心是遵循 “先基础保障（电 / 时 / 复）、再硬件连接、最后软件验证” 的逻辑，从根源定位问题，具体分 4 步：

1.优先查供电：确保 “能量” 正常

用万用表先测电源输入（如 5V/3.3V）是否达标，再测板载 LDO 输出电压（需精准匹配单片机，如 STM32 需 3.3V）；接着通断档查 VCC→LDO→单片机、GND 回路是否通路，排除虚焊；若电源保护，立即断电测 VCC 与 GND 是否短路（防连锡、电容焊反）。

2.再查复位：确保 “启动” 正常

测复位脚电压：未按复位键应为高电平（如 3.3V），按下时需降至低电平，松开恢复，异常则查复位按键虚焊、上拉电阻损坏；若为 RC 上电复位，用示波器看上电瞬间复位脚是否 “低→高” 跳变，无则换复位电容 / 电阻。

3.接着查时钟：确保 “心跳” 正常

目视晶振（如 8MHz）、匹配电容（如 22pF）无虚焊；用示波器测晶振两端是否有对应频率正弦波，无则换晶振 / 电容；无示波器可烧录 “串口打印” 程序，能输出说明时钟正常，反之则排查外部时钟电路。

4.最后查硬件连接与软件：排除 “细节” 问题

查下载接口（如 SWD/TX/RX）通路，换下载线 / 电脑排除工具故障；烧录 “IO 口翻转” 测试程序，用 LED / 万用表测 IO 口是否高低电平变化，无反应则可能是单片机虚焊或损坏（如静电击穿）。

整个过程核心是 “先排除最易出问题的基础模块，再逐步缩小范围”，避免盲目替换元器件。

六、MOS和TTL的对比、区别？

面试官您好，MOS（金属 - 氧化物 - 半导体）和 TTL（晶体管 - 晶体管逻辑）是两种核心数字逻辑电路技术，核心区别体现在器件基础、电气特性、性能场景三大维度，具体对比如下：

1. 核心器件与工作原理不同

TTL：基于双极型晶体管（NPN/PNP），靠晶体管的 “导通 / 截止” 实现逻辑功能（电流控制电流），电路中存在持续的静态电流，属于 “电流驱动”；

MOS：基于 MOS 场效应管（NMOS/PMOS），靠栅极电压控制沟道导通（电压控制电流），静态时几乎无电流，属于 “电压驱动”。

2. 关键电气特性对比（核心差异）

对比维度	TTL	MOS
静态功耗	高（如 74LS 系列每门约 10mW），静态电流不可避免	极低（如 CMOS 每门仅 nW 级），静态时几乎不耗电
电平标准	高电平≥2.4V，低电平≤0.8V（5V 供电为主）	宽电平适配（如 5V/3.3V/1.8V），高电平接近供电电压、低电平接近 0V
驱动能力	灌电流能力强（适合驱动继电器、LED 等负载）	驱动能力较弱，需外接驱动电路实现大负载驱动
抗干扰能力	中等（电平阈值差距 1.6V）	强（高 / 低电平差距大，如 3.3V 供电时差距 3.3V）
速度	中高速（如 74LS 系列传输延迟约 10ns）	早期较慢，现高速 MOS（如 HC 系列）已接近 TTL，高频场景略逊

3. 应用场景差异

TTL：适合5V 固定供电、需直接驱动负载的场景，如早期工业控制、继电器驱动电路，但因功耗高，现逐渐被 MOS 替代；

MOS（尤其是 CMOS）：因低功耗、宽电压、抗干扰强，成为主流，适用于便携式设备（如手机、单片机系统）、低功耗仪器、多电压域电路（如 3.3V 与 5V 混合系统）。

4.总结来说，MOS 的核心优势是低功耗、宽适配，TTL 的优势是强驱动，实际选型需结合功耗、供电、负载需求判断。