【电子元器件·11】PN结；耗尽区；PN结的伏安特性曲线（重要）

总览

一、P 、N半导体

1.区别

硅掺杂硼 or 磷，分别组成 P、N 半导体。

硼外圈 3 电子，只能和硅原子形成 3 个共价键。所以多出了一个 空穴
磷原子外圈 5 电子，只能和硅原子形成 4个共价键。所以多出了一个 自由电子

2.PN 结二极管的形成（PN结）

正向导通：

反向不导通（耗尽区增大！）：

二、PN结的伏安特性曲线

1.图示（重要）

2.重要特性

开启电压：虽然说PN结二极管是单向导通的，但是，这是有一定条件的。必须施加一个电压（微弱）才能开始正常地工作。
导通电压：PN结二极管彻底导通，此时，它基本是变成一根导线了。

反向漏电流：虽然说逆向不导通，但是还是会有 nA 级别的微弱漏电流存在。可以忽略不计。

反向击穿电压：分为 电击穿 和 热击穿
先发生电击穿，此时PN结二极管其实并没有被损坏，还是能够恢复的。因为反向的电压太大，所以共价键全都断裂了… 具体原理不用懂。
然后，如果电压再继续增大，电流也会同时增大，二极管急剧发热，放着不管，就烧起来了，发生了热击穿。